KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
portant;">
射頻離子源型號 |
portant;">
RFICP380 |
portant;">
Discharge 陽極 |
portant;">
射頻 RFICP |
portant;">
離子束流 |
portant;">
>1500 mA |
portant;">
離子動能 |
portant;">
100-1200 V |
portant;">
柵極直徑 |
portant;">
30 cm Φ |
portant;">
離子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
portant;">
流量 |
portant;">
15-50 sccm |
portant;">
通氣 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
portant;">
典型壓力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
portant;">
長度 |
portant;">
39 cm |
portant;">
直徑 |
portant;">
59 cm |
portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
該實驗以 99.9% 純度 Ti 靶和純度石墨靶為原材料, 通過離子濺射技術在硬質合金表面制備 Ta-C涂層.
研究結果:
石墨靶濺射時間 55min 時制備的 Ta-C涂層綜合性能較優, 涂層摩擦系數較低達到 0.13, 對膜副表面形成了石墨轉移膜, 對 Ta-C 涂層起到潤滑作用.
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