摘要:本發(fā)明涉及一種納米碳化硅的制備方法,屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域。將納米二氧化硅和炭質(zhì)材料混合均勻,然后將混合物壓制成片并燒結(jié)后作為陰極,以石墨為陽極,將陰極和陽極放入熔融的氯化物熔鹽電解質(zhì)中,在500℃~1000℃溫度下,在陰極和陽極之間施加電壓進(jìn)行電解,將陰極制備得到的產(chǎn)物依次經(jīng)過堿洗、水洗和干燥,最終得到高純度的納米SiC。該工藝具有流程短、能耗低,對環(huán)境友好等特點。
申請人: 昆明理工大學(xué)
地址: 650093 云南省昆明市五華區(qū)學(xué)府路253號
發(fā)明(設(shè)計)人: 馬文會 謝江生 魏奎先 秦博 伍繼君 謝克強 周陽 龍萍 楊斌 戴永年
主分類號: C01B31/36(2006.01)I
分類號: C01B31/36(2006.01)I B82Y30/00(2011.01)I