申請號: 201510369345.9
       申請日: 2015.06.29
       國家/省市: 中國濟南(88)
       公開號: 104926313A
       公開日: 2015.09.23
       主分類號: C04B 35/573(2006.01)
       分類號: C04B 35/573(2006.01); C04B 35/65(2006.01)
       申請人: 山東大學
       發明人: 張玉軍; 李其松; 龔紅宇; 孫海濱; 張衍雙
       代理人: 張宏松
       代理機構: 37219
       申請人地址: 山東省濟南市歷下區經十路17923號

       摘要： 本發明涉及一種高熱導率反應燒結碳化硅陶瓷材料及其制備方法，它由以下質量百分比的原料組成，碳化硅50-90wt.％，石墨烯0.5-12.5wt.％，炭粉5-15wt.％，表面活性劑1-3wt.％，分散劑0.5-2.5wt.％，粘結劑0.3-1.5wt.％；上述原料經混合、成型、真空條件下于溫度1650-1800℃反應燒結8～12小時，制得。本發明制得的SiC陶瓷材料硬度高、熱膨脹系數低、熱導率高，材料性能更加均勻、一致，提高了材料的服役可靠性。

       主權利要求 1.一種高熱導率反應燒結SiC陶瓷材料，由以下質量百分比的原料組成，碳化硅50-90wt.％，石墨烯0.5-12.5wt.％，炭粉5-15wt.％，表面活性劑1-3wt.％，分散劑0.5-2.5wt.％，粘結劑0.3-1.5wt.％；各組分質量百分比之和為100％，上述原料經混合、成型、真空條件下于溫度1650-1800℃反應燒結8～12小時，制得。