申請號: 201710471111.4

申請日: 2017.06.20

國家/省市:中國西安(87)

公開號: 107337453A

公開日: 2017.11.10

主分類號:C04B 35/565(2006.01)

分類號: C04B 35/565(2006.01); C04B 38/00(2006.01); C04B 35/64(2006.01)

申請人: 西安交通大學

發明人: 王波; 趙杉; 丁克; 鄧宇宸; 張南龍; 侯寶強; 楊建鋒

代理人: 閔岳峰

代理機構:西安通大專利代理有限責任公司(61200)

申請人地址:陜西省西安市碑林區咸寧西路28號

摘要： 本發明公開了一種結合氣固反應法制備重結晶碳化硅多孔陶瓷的方法，包括以下步驟：1)將SiO粉末置于坩堝底部，按照質量百分比將70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的納米炭黑的混合粉末模壓成型后形成生坯，將生坯置于坩堝中部，再將坩堝放在多功能燒結爐中，通入氬氣，在1650℃～1800℃保溫1～3小時進行氣固反應，獲得預燒結體；2)將預燒結體放入感應燒結爐中，在氬氣氣氛下升溫至1900℃～2100℃重結晶處理1～3小時即可獲得多孔SiC陶瓷。本發明獲得的碳化硅多孔陶瓷可廣泛應用于柴油車尾氣顆粒物過濾器或催化劑載體等領域。

主權利要求

1.一種結合氣固反應法制備重結晶碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于，包括下述步驟：1)按照質量百分比將70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的納米炭黑的混合粉末模壓成型后形成生坯，將SiO粉末置于坩堝底部，將生坯置于坩堝中部，再將坩堝放在多功能燒結爐中，通入氬氣，在1650℃～1800℃保溫1～3小時進行氣固反應，獲得預燒結體，其中SiO和納米炭黑的摩爾比為1:1；2)將預燒結體放入感應燒結爐中，在氬氣氣氛下升溫至1900℃～2100℃重結晶處理1～3小時即獲得多孔SiC陶瓷。