美國佐治亞技術研究所（GTRI）的工作人員近日發(fā)明了一種摻銀的金剛石固態(tài)復合材料，其優(yōu)越的熱傳導性能在微電子設備應用中嶄露頭角，這種材料的熱傳導性要比普通的熱傳導設備高出一個質的級別。
　　
　　該研究致力于一種超薄型、不足250微米的摻銀金剛石導熱墊片的研發(fā)。通過調整金剛石和銀的成分比例，利用較低的熱膨脹應力將墊片固結在大功率寬帶隙的半導體上，這一設備可應用于未來的相控陣雷達技術。
　　
　　大功率的半導體通常需要導熱墊片將熱量傳遞到鱗狀、扇狀或管狀的散熱片上進行散熱，從而降低器件溫度。由于半導體通常都裝配在非常狹小密閉的空間內，導熱墊片材料的選擇就需要有較高的導熱系數，同時還不能過多地占用空間。
　　
　　金剛石具有出色的熱傳導性能，而銀的摻入則使金剛石顆粒能夠懸浮在復合材料中，從而使其熱傳導率比銅高出了將近25%。目前，這種摻銀金剛石復合材料在熱傳導和熱膨脹兩個重要領域都得到了成功的試驗應用。
　　
　　主持研究項目的JasonNadler說，利用這種摻銀金剛石復合材料，器件的溫度從285℃降至181℃。該墊片樣例含50%的金剛石，僅250微米大小。此外，科學家們還嘗試將墊片樣例中金剛石成分增加至85%，依然保持低于250微米的厚度；結果顯示，增加了金剛石成分比例的墊片的導熱性能大大增加。
　　
　　Nadler還補充道：目前，還沒有哪一種物質材料的導熱性能和厚度尺寸能和這種摻銀的金剛石復合材料相媲美；其技術應用前景十分廣闊。