山東天岳先進材料科技有限公司依托山東大學晶體材料國家重點實驗室(中國晶體領域唯一國家重點實驗室),山東天岳自主研發的碳化硅晶體生長和襯底加工技術達到了世界先進水平，擁有了獨立的自主知識產權。打破了以美國為首的西方發達國家的技術壟斷和封鎖。
       半導體碳化硅單晶材料廣泛應用于大功率高頻電子器件、射頻器件、半導體發光二極管(LED),產品涉及到軍事工業、民用航空、半導體照明、電子產品背光源等國家鼓勵發展產業,是第三代半導體的核心材料,屬于《國家中長期科學和技術發展規劃綱要》和國家“十二五”發展規劃中重點培育和發展的戰略性新興產業。
       從我國產業發展的實際情況來看,如果“金字塔尖”的碳化硅材料上游開發受阻,將嚴重制約產業鏈中下游的器件、封裝與應用領域的發展。長期以來,我國的電子器件主要依靠進口,其中2011年的進口額就高達3000億美元,超過了石油進口額。半導體碳化硅襯底及芯片的重要戰略價值,使其始終穩居美國商務部的禁運名單,這也導致我國很難從國外獲得相應產品。而如今,山東天岳公司已將山東大學晶體材料國家重點實驗室十余年的研發成果大尺寸碳化硅襯底生長加工技術,進行了產業轉化,填補了國內在該領域的空白,打破歐美發達國家長期以來對我國的技術壟斷、產品禁運,從源頭上解決了受制于人的局面。