摘要 昨日,中科院半導(dǎo)體研究所和保定高新區(qū)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將在科技成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)、建立新產(chǎn)品中試基地、打造“中科保定科技產(chǎn)業(yè)園”等方面開展合作,共同推進(jìn)...
昨日,中科院半導(dǎo)體研究所和保定高新區(qū)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將在科技成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)、建立新產(chǎn)品中試基地、打造“中科保定科技產(chǎn)業(yè)園”等方面開展合作,共同推進(jìn)半導(dǎo)體材料及系統(tǒng)集成應(yīng)用成果轉(zhuǎn)化,在電力電子、光電領(lǐng)域及其它相關(guān)領(lǐng)域完善產(chǎn)業(yè)鏈條。同時(shí),中科院半導(dǎo)體所與保定高新區(qū)企業(yè)河北同光晶體公司建立的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式揭牌,這是河北省唯一的與中科院合作的碳化硅材料實(shí)驗(yàn)室,將對(duì)半導(dǎo)體材料項(xiàng)目進(jìn)行科技攻關(guān),突破大尺寸碳化硅晶體生長中的關(guān)鍵技術(shù)難題,全面提升基礎(chǔ)研究水平和技術(shù)創(chuàng)新能力。碳化硅晶體是國際上公認(rèn)的第三代半導(dǎo)體材料,已列入到國家中長期科學(xué)與技術(shù)發(fā)展規(guī)劃,是符合國家長遠(yuǎn)利益和國家發(fā)展戰(zhàn)略的信息功能材料之一。利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作,性能優(yōu)勢非常突出。據(jù)今天出席儀式的中科院半導(dǎo)體所長李樹深院士介紹,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈保守估計(jì)有千億元以上的年產(chǎn)值規(guī)模,他認(rèn)為保定高新區(qū)率先發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)必將搶占先機(jī),是具有戰(zhàn)略意義的選擇。中科院半導(dǎo)體研究所和保定高新區(qū)今天還共同舉辦了第三代半導(dǎo)體材料(碳化硅)產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展研討會(huì)