摘要：碳化硅由于化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途。其中，大量用于制作電熱元件硅碳棒，并可以用于大功率電子器件制造。

       根據(jù)中國機床工業(yè)協(xié)會磨料磨具專委會碳化硅專家委員會的數(shù)據(jù)，截至2012年底，全球碳化硅產(chǎn)能達260萬噸以上，產(chǎn)能達到1萬噸以上的國家有13個，占全球總產(chǎn)能的98%。其中中國碳化硅產(chǎn)能達到220萬噸，占全球總產(chǎn)能的84%。整體而言，我國碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備和單噸能耗達到世界領(lǐng)先水平。黑、綠碳化硅原塊的質(zhì)量水平也屬世界級。

       與此同時，碳化硅是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽w材料。預計在今后5～10年將會快速發(fā)展和有顯著成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。如今，我國雖然已在碳化硅生產(chǎn)上取得較大成績，但是在碳化硅大功率器件開發(fā)上一直處于落后地位。

       幸運的是，該不利局面現(xiàn)已得到改變。

       報道指出，中國首次實現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn)，在以美、歐、日為主導的半導體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出，這一突破有望緩解中國的能源危機。

       有關(guān)負責人表示，利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作，“與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅電力芯片能夠大幅度減少電力設(shè)備體積和重量，能大幅降低各項設(shè)備系統(tǒng)的整體成本并提高系統(tǒng)的可靠性”。

       數(shù)據(jù)表明，屬于“寬禁帶”的第三代半導體的碳化硅，大功率在降低自身功耗的同時，提高系統(tǒng)其他部件的功效，可節(jié)能20%至90%。

       中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會常務(wù)副理事長肖向鋒指出，這一成果對于煤炭、石油等資源越發(fā)緊缺的中國具有現(xiàn)實意義。

       “為應(yīng)對能源危機，國家提出節(jié)能減排，電能的輸送、分配都離不開電力電子技術(shù)”，肖向鋒解釋說，現(xiàn)有的電子技術(shù)基于半導體硅材料器件，但受制于硅材料的物理性能，器件功耗大。碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)無疑可解“燃眉之急”。