SiC（碳化硅）領域的中國“領頭羊”與美國重量級專家聯姻會產生何種化學反應？7月28日，中國天岳晶體材料公司與美國紐約州立大學簽約，約定在“代表著世界21世紀技術發展方向”的寬禁帶化合物半導體領域合作，從而為“中國經濟增長提供更優質的選擇”。雙方并未透露合作的具體協議。
       據了解，以SiC為代表的寬緊帶化合物半導體是當今世界最先進的第三代半導體，用它制作的功率和照明設備可節能50%以上，同時在新能源汽車、高鐵、工業領域具有廣泛應用。美日歐等發達國家和地區都將其列入清潔能源的國家戰略。
       據悉，天岳公司是世界上少數SiC半導體材料生產商，其技術水平達到世界前列；紐約州立大學是目前世界上規模最大的大學，在寬禁帶化合物半導體領域的研究居于世界前列，其長期與美國各大SiC公司合作的積累可為雙方聯姻提供經驗。