SiC（碳化硅）領(lǐng)域的中國“領(lǐng)頭羊”與美國重量級(jí)專家聯(lián)姻會(huì)產(chǎn)生何種化學(xué)反應(yīng)？7月28日，中國天岳晶體材料公司與美國紐約州立大學(xué)簽約，約定在“代表著世界21世紀(jì)技術(shù)發(fā)展方向”的寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域合作，從而為“中國經(jīng)濟(jì)增長提供更優(yōu)質(zhì)的選擇”。雙方并未透露合作的具體協(xié)議。
       據(jù)了解，以SiC為代表的寬緊帶化合物半導(dǎo)體是當(dāng)今世界最先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體，用它制作的功率和照明設(shè)備可節(jié)能50%以上，同時(shí)在新能源汽車、高鐵、工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。美日歐等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都將其列入清潔能源的國家戰(zhàn)略。
       據(jù)悉，天岳公司是世界上少數(shù)SiC半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商，其技術(shù)水平達(dá)到世界前列；紐約州立大學(xué)是目前世界上規(guī)模最大的大學(xué)，在寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究居于世界前列，其長期與美國各大SiC公司合作的積累可為雙方聯(lián)姻提供經(jīng)驗(yàn)。