硅科技公司Integrated Materials, Inc. (IMI) 今天宣布取得一項重大研究突破，該技術(shù)將大幅提高該公司用于氮化硅 (SiN) LPCVD應(yīng)用的SiFusion牌超純多晶硅爐的性能，并延長其使用壽命。這種已申報專利的獨特方法有望通過大幅延長預(yù)防性維護活動之間的時間并減少顆粒缺陷，以前所未有的幅度提高SiN爐生產(chǎn)效率。該技術(shù)的工作原理是修改多晶硅表面的分子屬性，形成一種最適宜于改善薄膜附著力與應(yīng)力管理的表面狀態(tài)。
　　　　
　　IMI的技術(shù)總監(jiān)Sang In Lee博士說：“‘表面修改與分子加入處理’(SUMMIT) 工藝是一種新工藝，可以增強硅表面和SiN薄膜等高應(yīng)力薄膜之間的附著力。與IMI的專有表面處理技術(shù)相結(jié)合，SUMMIT工藝可以提供更好的粒子性能和比石英及SiC爐更長的清洗間隔期 (MTBC)，從而提高IMI的硅熱場的生產(chǎn)效率與性能。”
　　　　
　　該技術(shù)的生產(chǎn)價值評估正在多個客戶所在地進行，與IMI的戰(zhàn)略營銷伙伴Tokyo Electron的聯(lián)合評估也在同步進行中。IMI相信，這一突破技術(shù)可將其SiN應(yīng)用方面的性能領(lǐng)先優(yōu)勢提高到其競爭者望塵莫及的水平，進一步展示了其 SiFusion?超純多晶硅產(chǎn)品線的技術(shù)特色。
　　　　
　　IMI首席執(zhí)行官Daniel Rubin說：“我們相信，我們的新解決方案將有利于在現(xiàn)有技術(shù)節(jié)點下，更加有效地利用分批處理爐氮化硅工藝，并實現(xiàn)將現(xiàn)有分批處理爐工藝延伸到未來節(jié)點。這一成果無疑會提高生產(chǎn)效率，但是更重要的是，將減少粒子數(shù)，并提高產(chǎn)量。這一SUMMIT工藝成果是SiFusion超純多晶硅爐在2004年推出后，取得的最大的多晶硅爐成果。”
　　　　
　　對于構(gòu)成LPCVD半導(dǎo)體爐管區(qū)中的處理室的可消耗部件，使用得最廣泛的術(shù)語是爐具 (furnaceware)。IMI通過在其整個200毫米和300毫米SiN產(chǎn)品線（包括塔、底座、襯墊、噴嘴、擋板和檔片）中采用SUMMIT工藝，為尋求大幅提高SiN性能并降低成本的客戶帶來了一個完整的解決方案。
　　　　
　　關(guān)于Integrated Materials, Inc.
　　　　
　　位于美國加利福亞州桑尼維爾的Integrated Materials, Inc.擁有SiFusion專利技術(shù)，是完善半導(dǎo)體行業(yè)尋求多年的多晶硅爐具解決方案的第一家和唯一一家公司。Integrated Materials獨特的SiFusion多晶硅爐系列能夠減少LPCVD中的粒子數(shù)、痕量金屬污染物和高溫工藝中的錯誤，從而超越了傳統(tǒng)的石英和碳化硅材料。SiFusion爐通過大幅減少例行清洗次數(shù)，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。
　　
　　
　　
　　來源：中國財經(jīng)網(wǎng)報道