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官方微信摘要 經(jīng)過近一年的推進工作，美國羅格斯大學趙建輝教授的第三代半導體碳化硅(SiC)外延及器件產(chǎn)業(yè)化項目，目前已確定落戶中關村海淀園。該項目中試及初期生產(chǎn)場地最終確定在海淀東升科技園，目前...
經(jīng)過近一年的推進工作，美國羅格斯大學趙建輝教授的第三代半導體碳化硅(SiC)外延及器件產(chǎn)業(yè)化項目，目前已確定落戶中關村海淀園。
該項目中試及初期生產(chǎn)場地最終確定在海淀東升科技園，目前已簽訂租賃協(xié)議。該項目致力于開拓第三代半導體碳化硅的全球市場，建設碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)群，形成中國的“碳化硅谷”。
來源:中國網(wǎng)
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