賽迪顧問股份有限公司、新材料產(chǎn)業(yè)研究中心近日發(fā)布的《2020“新基建”風口下第三代半導體應(yīng)用發(fā)展與投資價值白皮書》認為，在5G、新能源汽車、綠色照明、快充等新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展及國家政策大力扶持的雙重驅(qū)動力下，我國第三代半導體襯底材料和半導體器件市場繼續(xù)保持高速增長。預計未來3年中國第三代半導體襯底材料市場規(guī)模仍將保持20%以上的平均增長速度，到2022年將達到15.21億元；第三代半導體器件市場規(guī)模將達到608.21億元，增長率達到78.4%。

　　數(shù)據(jù)顯示，2019年，我國第三代半導體襯底材料市場規(guī)模達到7.86億元，同比增長31.7%；第三代半導體器件市場規(guī)模達到86.29億元，增長率達到99.7%。

　　白皮書認為，“新基建”一端連接著不斷升級的消費市場，另一端連接著飛速發(fā)展的科技創(chuàng)新。其中，5G基建、新能源汽車充電樁、特高壓及軌道交通四大領(lǐng)域的關(guān)鍵核心都與第三代半導體技術(shù)的發(fā)展息息相關(guān)：以GaN為核心的射頻半導體，支撐著5G基站建設(shè)；以SiC為核心的功率半導體，支撐著新能源汽車充電樁、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)的建設(shè)。未來，以GaN和SiC為首的第三代半導體將成為支持“新基建”的核心材料。

　　目前，我國對于第三代半導體材料的投資熱情勢頭不減。賽迪顧問整理統(tǒng)計，2019年共17個增產(chǎn)（含新建和擴產(chǎn)）項目（2018年6個），已披露的投資擴產(chǎn)金額達到265.8億元（不含光電），較2018年同比增長60%。其中2019年SiC領(lǐng)域投資事件14起，涉及金額220.8億元。GaN領(lǐng)域投資事件3起，涉及金額45億元。在“新基建”的引領(lǐng)下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)將成為未來半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。

　　白皮書認為，國內(nèi)半導體企業(yè)應(yīng)當把握“新基建”帶來的新機遇。我國第三代半導體處于成長期，仍需要大規(guī)模資金投入、政策扶持，加大GaN、SiC的大尺寸單晶襯底的研發(fā)。此外，大尺寸單晶襯底的量產(chǎn)有助于降低器件成本、提高化合物半導體市場滲透率。