半導體行業從誕生至今，經過近六十年的發展先后經歷了三次明顯的換代和發展。其中，第三代半導體材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN，相比于第一、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率。

近年來，隨著5G通信、新能源汽車、光伏等行業的快速發展，我國半導體行業的發展迎來關鍵節點和重大機遇，第三代半導體需求面臨劇增的局面。

國內廠商技術優勢凸顯 優質賽道競爭格局清晰

目前，從第三代半導體材料呈現的競爭格局來看，整體輪廓展現出日益清晰的局面。在國外，以美國的Cree和II-VI公司為主，在國內，有山東天岳，天科合達、河北同光等。

碳化硅襯底材料分半絕緣型和導電型。半絕緣型碳化硅電阻率高，工藝窗口窄，主要應用于雷達和5G通信領域的射頻器件。導電型碳化硅電阻率低，主要應用于電力電子的功率器件。

山東天岳自成立以來一直在半導體領域里潛心探索。公開資料顯示，山東天岳成立于2010年，主要從事碳化硅襯底的研發、生產和銷售。目前，公司主要產品覆蓋半絕緣型（4英寸為主）和導電型（6英寸為主）碳化硅襯底，已供應至國內碳化硅半導體行業的下游核心客戶，同時已被部分國外頂尖的半導體公司使用。

下游應用領域場景廣闊 未來行業發展空間巨大

碳化硅由于自身特性，下游應用領域場景和領域十分廣泛，這無疑會為身處其中的企業帶來增長的機會，并拓展行業發展的寬度和廣度。

碳化硅可廣泛應用于新能源汽車、5G 通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等現代工業領域。在新能源汽車領域，碳化硅功率器件主要應用在電機驅動系統、車載充電、電源轉換系統等多個關鍵系統中，比如特斯拉的Model 3車型上使用了24個碳化硅MOSFET功率模塊的逆變器。隨著5G、新能源汽車、光伏發電、航空航天等戰略新興產業迅速發展，以及巨大的潛在市場需求增長、火熱的投資環境以及政策驅動，我國SIC產業發展明顯進一步迎來戰略機遇期。