1月17日，工業(yè)和信息化部發(fā)布關(guān)于組織開展2025年未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新任務揭榜掛帥工作的通知。通知顯示，將面向量子科技、原子級制造、清潔氫3個未來產(chǎn)業(yè)，布局一批核心基礎(chǔ)、重點產(chǎn)品、公共支撐、示范應用創(chuàng)新任務，發(fā)掘培育一批掌握關(guān)鍵核心技術(shù)、具備較強創(chuàng)新能力的優(yōu)勢單位，突破一批標志性技術(shù)產(chǎn)品，加速新技術(shù)、新產(chǎn)品落地應用。

      其中在原子級制造揭榜掛帥任務榜單中涉及原子級超光滑金剛石表面制造、超硬金剛石團簇離子束原子級拋光裝備、大徑厚比金剛石光學窗口等內(nèi)容。

原子級制造揭榜掛帥任務榜單（金剛石相關(guān)部分）

      二、重點產(chǎn)品

      （一）多場輔助化學機械原子級拋光裝備

      揭榜任務：面向半導體襯底原子尺度拋得光、納米尺度拋得平、微米尺度拋得快的高質(zhì)高效加工需求，研究電、光、聲、等離子體等多場輔助化學機械原子級去除工藝，突破多場輔助協(xié)同調(diào)控、超低壓力分區(qū)加壓、測量反饋智能控制等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)多場輔助化學機械拋光裝備，實現(xiàn)原子級精度拋光，滿足半導體襯底應用需求。

      預期目標：到2026年，研制模塊化的多場輔助化學機械原子級拋光裝備，可以集成電、光、聲、等離子體等多場，拋光壓力調(diào)控精度0.1psi，拋光壓力分區(qū)數(shù)量6個，利用該設(shè)備對單晶硅襯底進行拋光，表面起伏小于10個原子層，滿足先進制程需求。

      （二）高效團簇離子束原子級拋光裝備的研發(fā)及在大徑厚比金剛石光學窗口的加工應用

      揭榜任務：面向高功率激光系統(tǒng)、中長波紅外探測器等對原子級表面精度的金剛石窗口需求，突破氣體原子團簇束流中和關(guān)鍵技術(shù)，建立原子級超光滑金剛石表面制造方法，研制超硬金剛石團簇離子束原子級拋光裝備，實現(xiàn)大徑厚比金剛石光學窗口的原子級制造，并應用驗證。

      預期目標：到2026年，高性能、低成本的束流中和器自主可控，具有較高的中和效率，對Ar100團簇中和效率>50%，研制金剛石材料團簇離子束原子級拋光裝備，建立金剛石光學窗口納米級精度及原子級表面質(zhì)量制造工藝，加工金剛石光學窗口直徑≥75mm、徑厚比≥100、表面面形精度PV≤λ/4、表面粗糙度Ra≤1nm，設(shè)備支持Ar/SF6等多種氣體團簇離子束、束流強度≥100μA、團簇束斑直徑0.5-10mm可調(diào)、團簇離子能量≥60keV，能夠支撐3英寸級金剛石光學窗口原子級可控制造。