申請號: 201710607749.6

申請日: 2017.07.24

國家/省市:中國廣東(44)

公開號: 107500768A

公開日: 2017.12.22

主分類號:C04B 35/563(2006.01)

分類號: C04B 35/563(2006.01); C04B 35/622(2006.01); G21C 7/24(2006.01); G21F 1/02(2006.01)

申請人: 東莞中子科學中心

發明人: 柯于斌; 曹磊; 陶舉洲; 杜慧玲

代理人: 郭燕 彭家恩

代理機構:深圳鼎合誠知識產權代理有限公司(44281)

申請人地址:廣東省東莞市松山湖科技產業園區科學園生產力大廈

摘要： 本申請公開了一種碳化硼陶瓷的制備方法、碳化硼陶瓷及其應用。本申請的碳化硼陶瓷制備方法包括(1)將碳化硼粉和硅酸鹽玻璃粉混勻，制成混合料；(2)在混合料中加粘結劑溶液，造粒；(3)將造粒顆粒倒入模具，5?30MPa壓制素坯；(4)素坯烘干，惰性氣氛、還原性氣氛或真空下低于1000℃燒結，制成碳化硼陶瓷。本申請的方法，實現了碳化硼陶瓷低溫常壓燒結，能耗低，簡單易操作，成本低；硅酸鹽玻璃粉原料豐富、價格低、易獲得，進一步降低了成本；制備的碳化硼陶瓷不含氫，可大幅降低中子散射背底，特別適于制作探測器周圍的中子吸收和屏蔽器件。本申請的方法為大批量規模化生產中子屏蔽效果好的碳化硼陶瓷材料奠定了基礎。

主權利要求

一種碳化硼陶瓷的制備方法，其特征在于：包括以下步驟，(1)將碳化硼粉和硅酸鹽玻璃粉通過球磨或超聲分散混合均勻，制成混合料；(2)在步驟(1)的混合料中加入粘結劑溶液，造粒；(3)將步驟(2)制備的顆粒倒入模具中，在5-30MPa的壓力下壓制成素坯；(4)將步驟(3)的素坯烘干，然后在惰性氣氛、還原性氣氛或真空條件下燒結，制成碳化硼陶瓷，所述燒結的溫度低于1000℃。