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利用金剛石補(bǔ)強(qiáng)材料改善碳化硅陶瓷的斷裂韌性研究

關(guān)鍵詞 金剛石 , 碳化硅 , 陶瓷|2017-02-23 10:33:42|應(yīng)用技術(shù)|來源 中國磨料磨具網(wǎng)
摘要 摘要:碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料,廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。由脆性特質(zhì)引起的較差的斷裂韌性是碳化硅的一個(gè)技術(shù)制約。近年來,有研究人員研發(fā)制備出納米...
摘要
       碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料,廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。由脆性特質(zhì)引起的較差的斷裂韌性是碳化硅的一個(gè)技術(shù)制約。近年來,有研究人員研發(fā)制備出納米金剛石(ND)顆粒增強(qiáng)型碳化硅材料,既改善了斷裂韌性又不影響材料本身的強(qiáng)度。本論文利用分子動(dòng)力學(xué)模擬對(duì)新型碳化硅131材料中納米金剛石和納米硅顆粒的補(bǔ)強(qiáng)效果進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)選取兩種類型的納米顆粒:(a)裂縫尖端前面成簇的顆粒;(b)分布一致的顆粒。對(duì)模型I和模型II的斷裂韌性進(jìn)行測(cè)量。實(shí)驗(yàn)觀察得知,碳化硅中添加納米金剛石能100%程度地改善模型II斷裂韌性,25%程度地改善模型I的斷裂韌性。
引言
       碳化硅作為一種硬質(zhì)高強(qiáng)度材料,廣泛應(yīng)用于磨料、轉(zhuǎn)盤、軸承和高溫涂層等工程技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。但和多數(shù)陶瓷材料類似,碳化硅有~9GPa的高抗屈強(qiáng)度、~2800kg/mm2的高硬度和~4.6MPa.m0.5的低韌性。牢固的共價(jià)鍵和離子鍵所形成的微結(jié)構(gòu)造成了碳化硅的這種特殊屬性;而較低的韌性則大大制約了碳化硅在諸多領(lǐng)域的應(yīng)用。一般情況下,韌性屬性包括強(qiáng)度和變形性。強(qiáng)度高變形性低的材料整體上都有較低的韌性。增強(qiáng)材料韌性一般有兩種方法:利用外部機(jī)制和利用內(nèi)部機(jī)制。對(duì)于陶瓷材料的增韌則主要是利用外部機(jī)理;常見方法有:(1)延性定相。通過大規(guī)模延性相變形在斷裂尖端周圍應(yīng)變松弛,或者在斷裂尖端背面利用延性相伸展來進(jìn)行裂紋鈍化、裂紋搭橋,從而抵制裂紋發(fā)生和擴(kuò)散。(2)粒化。在晶粒間界處增韌以減少裂紋密度。(3)通過多層化來增強(qiáng)薄膜和襯底間的粘合。(4)納米纖維增強(qiáng)。在纖維-基體界面處使裂紋發(fā)生偏離。(5)金剛石燒結(jié)等對(duì)裂紋進(jìn)行搭橋。
結(jié)構(gòu)的分子建模
圖一(a)為碳化硅分子模型。

圖一:a)純碳化硅結(jié)構(gòu)(藍(lán)色為硅;紅色為碳);b)純納米金剛石結(jié)構(gòu)
       純碳化硅模型包括68832個(gè)院子。在 WNC模型中將原子從晶體中移除便得到一個(gè)中心裂紋長度a=2.62nm,以類似此方法建立若干個(gè)納米復(fù)合材料模型。模型1中,碳化硅基體摻入8個(gè)固態(tài)納米金剛石顆粒。模型2中,碳化硅基體摻入兩個(gè)簇叢納米金剛石顆粒,每個(gè)簇叢包含4個(gè)納米金剛石顆粒。模型3中,用洞孔納米金剛石顆粒替代固態(tài)納米金剛石顆粒。模型4中,ND顆粒建模為不可變形的顆粒。此外,還建立了一個(gè)模型,用硅顆粒替代ND顆粒。每個(gè)顆粒的形狀假定為方形,ND顆粒邊長為0.357nm,碳化硅顆粒邊長為0.43597nm。所有模型的原子間交互作用建立在Tersoff potential基礎(chǔ)上。
圖二:a)有裂縫的純碳化硅;b)ND增強(qiáng)型碳化硅切片圖;c)洞孔ND增強(qiáng)型碳化硅切片圖;d)ND分散一致的增強(qiáng)型碳化硅切片圖

形變的分子模擬
       利用Daresbury 實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的2.20版DL-POLY進(jìn)行所有的模擬實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)條件為300k,0.5fs時(shí)間步長。實(shí)驗(yàn)分兩步驟對(duì)機(jī)械性能進(jìn)行觀察。第一步對(duì)原子模型進(jìn)行平衡,第二步對(duì)模型進(jìn)行漸進(jìn)軸向機(jī)械裝載。
平衡狀態(tài)
       將NPT和NVT整體結(jié)合,進(jìn)行平衡狀態(tài)實(shí)驗(yàn)。首先將模型在NPT條件下運(yùn)行模型,時(shí)間步長為30000;然后在NVT條件下對(duì)模型進(jìn)行機(jī)械裝載。
應(yīng)力應(yīng)變曲線
       利用應(yīng)力應(yīng)變曲線進(jìn)行抗拉實(shí)驗(yàn)和抗剪實(shí)驗(yàn)。對(duì)所有模型施以應(yīng)變場(chǎng),進(jìn)行軸向拉伸實(shí)驗(yàn)。
       沿著形變的方向?qū)D單元的大小進(jìn)行測(cè)量并施以應(yīng)變,然后對(duì)原子的新坐標(biāo)重新測(cè)量以便匹配新的大小。完成初始形變以后,繼續(xù)對(duì)MD進(jìn)行模擬,在新的MD單元大小范圍內(nèi)對(duì)原子進(jìn)行平衡。重復(fù)該步驟以實(shí)現(xiàn)持續(xù)漸進(jìn)形變。軸向拉伸方向上的應(yīng)變?cè)隽繛?.25%。然后,將系統(tǒng)松弛0.1ps,將系統(tǒng)上的應(yīng)力調(diào)和至大于0.1ps。實(shí)驗(yàn)采用周期邊界條件。
結(jié)果和討論
圖三:嵌入純ND顆粒的應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖四:(a)帶裂縫的純碳化硅;b)帶裂縫的ND增強(qiáng)型碳化硅
       圖四可以看出距離裂縫尖端幾納米的ND顆粒簇叢增強(qiáng)了模型I的韌性和強(qiáng)度。圖五可以看出ND顆粒有效防止了裂縫的擴(kuò)散。
       為觀察ND顆粒形變性對(duì)整體應(yīng)力應(yīng)變反應(yīng)的影響,實(shí)驗(yàn)建立了一個(gè)ND為不可形變的模擬。曲線如圖五所示。圖六為對(duì)應(yīng)的MD。可以明顯看出不可形變的ND顆粒明顯降低了整體強(qiáng)度和韌性。由于ND顆粒是不可形變的,當(dāng)裂縫產(chǎn)生并影響ND-SiC界面時(shí),不存在能量損失。圖五可以看出在10%應(yīng)變處應(yīng)力應(yīng)變發(fā)生了彎曲。
圖五:嵌入純ND顆粒的應(yīng)力應(yīng)變曲線
圖六:帶裂縫的ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
       為理解ND核是否影響應(yīng)力應(yīng)變反應(yīng),實(shí)驗(yàn)建立了一個(gè)洞空ND增強(qiáng)模型。圖八為對(duì)應(yīng)MD圖。圖七可以看出,洞空ND沒有增強(qiáng)SiC的機(jī)械性能;同時(shí)還可以看出洞空變形ND顆粒不能防止裂縫的擴(kuò)散。因此,和WND應(yīng)力應(yīng)變曲線相比,沒有觀察到任何差別。
圖七:嵌入洞孔ND顆粒的應(yīng)力應(yīng)變曲線

圖八:帶裂縫的ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
       為完善對(duì)納米顆粒增強(qiáng)效果的評(píng)估,實(shí)驗(yàn)還進(jìn)行了不可變形的洞空ND研究,曲線如圖九所示。圖十為對(duì)應(yīng)的MD。圖九可以看出,當(dāng)不可變形洞空ND嵌入時(shí),整體應(yīng)力應(yīng)變性能下降。使用硬質(zhì)ND時(shí),圖十顯示類似趨勢(shì)。這說明和硬質(zhì)ND增強(qiáng)系統(tǒng)相比,不可變形洞空ND的變形機(jī)理是一樣的。由此可以推斷超硬增強(qiáng)納米顆粒不會(huì)增強(qiáng)其機(jī)械性能。
圖九:嵌入洞空ND的應(yīng)力應(yīng)變曲線

圖十:帶裂縫的硬質(zhì)ND增強(qiáng)SiC失敗試驗(yàn)品
       為研究納米顆粒屬性對(duì)SiC基體的影響,實(shí)驗(yàn)用同樣尺寸的Si替代ND。需要注意的是Si沒有SiC更硬,因此把它放入裂縫中。曲線如圖11所示。由圖可以看出摻入Si增強(qiáng)體后并沒有改善整體應(yīng)力應(yīng)變性能。
圖11:摻入純Si的應(yīng)力應(yīng)變曲線
模型II裂縫
       從抗拉實(shí)驗(yàn)可以看出SiC的強(qiáng)度和韌性只有在ND顆粒不是超硬屬性的情況下才能得到改善。為驗(yàn)證該假設(shè),研究對(duì)所有實(shí)驗(yàn)進(jìn)行抗剪實(shí)驗(yàn),結(jié)果顯示增強(qiáng)ND改善了SiC的韌性。圖12為抗剪實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖13為對(duì)應(yīng)的MD。由于錯(cuò)位成核,剪切負(fù)載過程中發(fā)生顯著的塑性變形。
圖12:剪切負(fù)載的應(yīng)力應(yīng)變曲線

圖13:(a)ND-SiC復(fù)合材料和(b)純SiC的剪切試驗(yàn)失敗品
編譯:中國磨料磨具網(wǎng)
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