三菱電機近日宣布，開發出了能夠一次將一塊多晶碳化硅(SiC)錠切割成40片SiC晶片的“多點放電線切割技術”。該技術有望提高SiC晶片加工的生產效率，降低加工成本。
　　
　　多點放電線切割技術是將直徑為0.1mm的鐵類材料制成的金屬線以0.6mm的間隔纏繞在導輪上，同時在40處實施放電加工，一次就將SiC錠切割成40片SiC晶片。通過獨立控制對每個切割部位的供電，使各切割部位的加工速度實現均一化，從而一次可切割出多片晶片。
　　
　　三菱電機驅動控制系統技術部長真柄卓司介紹說，“通過獨立控制使各個供電部分的放電量實現均一化是很難辦到的。其他公司無法簡單模仿”。該技術的加工速度為0.08mm/min，能夠在20多個小時內切割完一塊截面為4英寸見方的SiC錠。
　　
　　SiC作為功率半導體用材料，近年來需求不斷擴大。SiC晶片加工方面，目前最常見的是使用磨粒線鋸進行多線切割的接觸式機械加工，磨粒線鋸砥粒式線鋸的直徑較大，為0.2mm左右，切割面的表面粗糙度也比放電線切割加工粗。此外，SiC硬度較高，因此需要使用昂貴的金剛石作為磨粒。而此次開發的放電線切割加工技術的線間距僅為0.6mm左右，比磨粒線鋸的一般間距(約0.8mm)窄，而且切割下料的寬度也很窄，因此切割同樣大小的晶錠可得到的晶片數量(收獲量)也要多出約3成。
　　
　　另外，放電線切割加工使用的金屬線也無需使用特殊材料。三菱電機今后將對該技術進行定量性成本評估，估計該技術能夠憑借收獲量的增加以及金屬線的低成本化削減加工成本。今后該公司將提高該技術的加工可靠性和穩定性，并通過自動化來提高易用性，力爭2015年度推出產品。