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官方微信摘要 通過在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷，研究人員增加了材料存儲電荷的能力。研究人員使用石墨烯制造碳化硅晶體，當碳化硅被加熱到2000℃時，表面上的硅原子移動到氣相，并且只剩下碳原...
通過在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷，研究人員增加了材料存儲電荷的能力。研究人員使用石墨烯制造碳化硅晶體，當碳化硅被加熱到2000℃時，表面上的硅原子移動到氣相，并且只剩下碳原子。由于石墨烯層的高質量及其先天惰性，石墨烯與其周圍環境不容易反應，而應用通常依賴于材料和周圍環境之間的控制互動，如氣體分子。這個領域的研究人員正在進行的討論是，是否可能激活平面上的石墨烯或是否需要邊緣。 研究人員調查了以受控方式引入表面缺陷時會發生什么，并以這種方式試圖更詳細地了解石墨烯的性質如何與其結構相關。
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