上海2014年3月17日電 /美通社/ -- 盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司與國(guó)際知名研發(fā)機(jī)構(gòu)SEMATECH，國(guó)內(nèi)知名華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心簽約合作，共同開(kāi)發(fā)無(wú)應(yīng)力拋光 在TSV 3D以及2.5D轉(zhuǎn)接板金屬銅層平坦化工藝中的應(yīng)用。

       隨著半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，為了克服隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)減小帶來(lái)設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)成本急速增長(zhǎng)，封裝產(chǎn)業(yè)界提出的“后摩爾定律”的概念，即通過(guò)在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域?qū)Σ煌骷捎貌捎眉苫Ⅲw化的TSV先進(jìn)封裝來(lái)代替原來(lái)的器件技術(shù)節(jié)點(diǎn)微型化。但是，TSV先進(jìn)封裝實(shí)用化所面臨的兩大挑戰(zhàn)是制造工藝的可靠性以及生產(chǎn)成本。

       “盛美的無(wú)應(yīng)力拋光工藝可減少厚銅膜引起的硅片翹曲對(duì)后續(xù)工藝可靠性影響，以及大幅降低CMP的工藝成本。”盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說(shuō)，“此次盛美與SEMATECH在TSV 3D工藝開(kāi)發(fā)的簽約，是首次中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)與國(guó)際一流研發(fā)機(jī)構(gòu)的深度合作的嘗試。同時(shí)，通過(guò)與國(guó)內(nèi)華進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)展在TSV 2.5D轉(zhuǎn)接板的合作，創(chuàng)立一套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的無(wú)應(yīng)力銅膜平坦化整合解決方案，推動(dòng)國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)入國(guó)際前列。”

       在先進(jìn)封裝TSV工藝中，CMP工藝所占成本超過(guò)總成本的1/3。同時(shí)，由于銅與硅襯底的熱膨脹系數(shù)(CTE)的差異，硅片將出現(xiàn)翹曲。該翹曲在后續(xù)的回火工藝中將會(huì)被放大，這給CMP工藝帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。為了解決以上兩大難題，盛美開(kāi)發(fā)的無(wú)應(yīng)力拋光（SFP Stress-Free-Polish）技術(shù)，不使用傳統(tǒng)的拋光液。沒(méi)有拋光墊，僅使用可循環(huán)使用的電化學(xué)拋光液。與傳統(tǒng)CMP工藝相比，拋銅成本降低87%。無(wú)應(yīng)力拋光的去除率受銅的晶相結(jié)構(gòu)影響小，可把回火工藝放在無(wú)應(yīng)力拋光工藝之后，這樣大大減少硅片的翹曲，通過(guò)與CMP工藝整合，有效解決了CMP工藝存在的技術(shù)和成本瓶頸。