在我們的社群有問到“減薄工藝與CMP”方面的問題。表面去看，CMP也有減薄的作用，但其實不太一樣，另外還有一個磨削研磨的工藝，可能也會有所誤解。下面我們放在一起來聊一聊。

        為了更直觀的展現(xiàn)這幾個工藝的不同，我們先看看它們在制造流程中的位置，畫了一個包含部分流程的示意圖，如下。

       圖中的黃色底是磨削/研磨工藝，綠色背景的是CMP平坦化工藝，紅色底的是減薄工藝。可以看出，在流程順序上，它們幾個是有差異的，先有磨削/研磨再是CMP（重復多次），最后才是減薄。

       其中CMP平坦化工藝可以先看看我前面寫的文章：為什么需要CMP工藝？，平坦化CMP用的次數(shù)比較多，在離子注入后的硅片表面，每一層金屬化、以及對頂層金屬進行拋光等地方都需要。

       而磨削研磨，主要目的是減少硅片的厚度。這里要注意削和研磨其實也是兩個概念，通常是按照從粗糙到精細的順序進行的，即先進行磨削，然后進行研磨。磨削是為了達到所需的尺寸或形狀，研磨是為了去除磨削過程中留下的劃痕和表面缺陷，就這么簡單。

       另外特別再說一下：磨削是磨的晶圓背面，研磨則是對整個晶圓拋光，大部分是對晶圓正面進行拋光，多是物理方法。

       CMP在這里我們還是再提一句，CMP平坦化是在每次金屬層沉積和蝕刻之后進行，使用化學腐蝕和機械研磨。在晶圓制造過程中，CMP可能需要多次進行，主要集中在晶圓正面。

       最后來說減薄工藝，顧名思義，它的目的也很簡單，就是希望減少晶圓的整體厚度，從而提高集成度、減少熱阻、適應封裝要求等。這個操作流程是在晶圓正面所有制造步驟完成后，對整個晶圓進行的一次性操作，但這個操作是在晶圓切割成單個芯片之前。

        因此，可以看出減薄工藝與CMP工藝是不同的，與上面的研磨也不太一樣，更有點像是磨削。通常我們是用含有金剛石磨粒的砂輪以一定的速度來磨削，如下面的圖：

        再畫一個砂輪減薄的示意圖，我畫的圖可能不太好看哈。

        最后提一個小問題，減薄是針對晶圓的哪一面進行操作的：背面還是正面？歡迎留言！